بررسی اثر میدان مغناطیسی بر نانو سیال رسانا
محل انتشار: اولین کنفرانس بینالمللی مهندسی مکانیک و هوافضا
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 770
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
MECHAERO01_244
تاریخ نمایه سازی: 21 شهریور 1395
چکیده مقاله:
ویسکوزیته نانوسیال مغناطیسی اتیلن گلایکول- Fe4O3 تحت میدان مغناطیسی ثابت، موازی و در جهت جریان نانوسیال به طور آزمایشگاهی مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان داد با افزایش شدت میدان مغناطیسی ویسکوزیته نانوسیال کاهش می یابد. همچنین آزمایشات نشان داد افزایش زمان قرارگیری نانوسیال در معرض میدان مغناطیسی تأثیر کاهش ویسکوزیته نانوسیال را بیشتر میکند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
سعید رحمانی
دانشجوی کارشناسی ار شد , دانشگاه آزاد اسلامی واحد تاکستان
میلاد طاهرخانی
دانشجوی کارشناسی ار شد , دانشگاه آزاد اسلامی واحد تاکستان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :