ساختار الگترونیکی نقاط کوانتومی خود سازمان InAs/GaAs با شکل ها و اندازه های مختلف
عنوان مقاله: ساختار الگترونیکی نقاط کوانتومی خود سازمان InAs/GaAs با شکل ها و اندازه های مختلف
شناسه ملی مقاله: CMC09_175
منتشر شده در نهمین کنفرانس ماده چگال در سال 1387
شناسه ملی مقاله: CMC09_175
منتشر شده در نهمین کنفرانس ماده چگال در سال 1387
مشخصات نویسندگان مقاله:
هاجر کاویانی باغبادرانی - پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز
منوچهر کلافی
اصغر عسگری
خلاصه مقاله:
هاجر کاویانی باغبادرانی - پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی دانشگاه تبریز
منوچهر کلافی
اصغر عسگری
در این مقاله برای مطالعه وابستگی توابع موج و حالت های الکترونیکی نقاط کوانتومی InAs/GaAs به تغییرات اندازه و شکل نقاط کوانتومی، یک مدل سه بعدی فرمولبندی می شود. شکل های QD مورد بررسی مکعب، استوانه ای و هرمی می باشد و مدل ارائه شده برای بررسی ساختار الکترونیکی بر پایه تقریب جرم موثر و به روش بسط موج تخت است. نتایج محاسبات نشان دهنده تاثیرات زیاد شکل و اندازه QDs بر ساختار الکترونی آن ها می باشد.
صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/64785/