محمدرضا شایسته - گروه مهندسی برق، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی، یزد، ایران
محمد اسلامی - گروه مهندسی برق و کامپیوتر، واحد بین الملل چابهار، دانشگاه آزاد اسلامی، چابهار، ایران
سمیرا دمی زاده - گروه مهندسی برق، واحد یزد، دانشگاه آزاد اسلامی، یزد، ایران

در این مقاله یک مالتی پلکسر با توان، نویز پذیری و زمان صعود پایین و همچنین پاسخ فرکانسی بالا ارایه شده که در آن از ترانزیستورهای اثرمیدان نانولوله کربنی بجای ترانزیستور CMOS استفاده شده است. مدار پیشنهادی نسبت به مدارهای مشابه خود دارای مزایایی است. مدار مالتی پلکسر یک بار با تکنولوژی 45 نانومتر و بار دیگر با تکنولوژی 32 نانومتر شبیه سازی شده و نتایج حاصل، با نتایج شبیه سازی مدار طراحی شده با ترانزیستورهای نانولوله کربنی مقایسه گردیده است. منبع تغذیه 0.9 ولت در نظر گرفته خواهد شد.

ترانزیستور اثرمیدان، مالتی پلکسر، نانولوله کربنی، پاسخ فرکانس، ترانزیستور CMOS