بررسی تغییرات ارتفاع سد شاتکی بر روی مشخصات ترانزیستور InAs/AlSb HEMT
محل انتشار: دوازهمین کنفرانس دانشجویی مهندسی برق ایران
سال انتشار: 1388
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 10,697
فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ISCEE12_226
تاریخ نمایه سازی: 29 اسفند 1387
چکیده مقاله:
در این مقاله یک ترانزیستور InAs / AlSb HEMT با استفاده از معادلات موازنه انرژی و با در نظر گرفتن اثرات کوانتومی شبیه سازی شده و اثر تغییر ارتفاع سد شاتکی بر مشخصات آن بررسی شده است. نتایج شبیه سازی نشان میدهد که افزایش ارتفاع باعث افزایش جریان شده است ولی از طرف دیگر کاهش مقدار gm را در پی داشته است.در این مقاله همچنین نمودارهای سد پتانسیل و چگالی الکترونها نیز رسم شده است .
کلیدواژه ها:
نویسندگان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :