CIVILICA We Respect the Science
(ناشر تخصصی کنفرانسهای کشور / شماره مجوز انتشارات از وزارت فرهنگ و ارشاد اسلامی: ۸۹۷۱)

محاسبه خاصیت دی الکتریکی لایه های نازک SiO2 و Ta2O5 با استفتده از الگوی صفحات موازی

عنوان مقاله: محاسبه خاصیت دی الکتریکی لایه های نازک SiO2 و Ta2O5 با استفتده از الگوی صفحات موازی
شناسه ملی مقاله: ISSE09_124
منتشر شده در نهمین سمینار ملی مهندسی سطح و عملیات حرارتی در سال 1387
مشخصات نویسندگان مقاله:

عبدالعلی ذوالانواری - گروه فیزیک دانشگاه اراک
رضا مهردار قائم مقامی - گروه فیزیک دانشگاه اراک

خلاصه مقاله:
دراین الگو نیروی جاذبه بین سوزن میکروسکوپ نیرو اتمی و سطح را برای لایه ی نازکی از جنس Ta2O5 _ SiO2 و ترکیبات مشابه که روی زیر لایه Si نوع N قرار دارد با اعمال ولتاژ بایاس ثابت محاسبه شده است بر هم کنش غالب بین سوزن و سطح نیروی واندروالس بوده ولی هنگامی که ولتاژ بایاس مناسبی به سیستم وارد میشود نیروی جاذبه افزایش یافته که ناشی از بر هم کنش کلونی است نتایج بدست آمده حاکی از خاصیت ضعیف تر دب الکتریکی Ta2O5 نسبت به Sio2 بر خلاف انتظرات تئوری است.

صفحه اختصاصی مقاله و دریافت فایل کامل: https://civilica.com/doc/79606/