محمدمهدی کارخانه چی - دانشکده فنی مهندسی دانشگاه رازی
مصطفی شیرین پور - دانشکده فیزیک دانشگاه تبریز
محمدعلی رخش ماه - دانشکده فنی مهندسی دانشگاه رازی

با استفاده از اکسید های Co، Cr ، Pr و La در وریستورهای بر مبنی ZnO که در آن اکسید لانتانیم با میزان آلایش 0/5% ، 1% و 1/5% مولی ساخته و مورد مطالعه قرارداده شد . بعد از توزین اکسید ها پودر را با روش خاصی مخلوط نموده و در دمای 650 درجه سانتیگراد به مدت 2 ساعت تکلیس کرده و پس از ساخت قرصها آنها را در دمای 1300 درجه سانتیگراد بازپخت کردیم. آنگاه الکترودها را به قرص ها وصل نموده و منحنی غیرخطی آنها را رسم نموده و ضریب غیرخطی و نیز جریان نشتی را در سه غلظت فوق محاسبه نمودیم. ملاحظه شد که با افزایش غلظت اکسید La ضریب غیر خطی به شدت کاهش می یابد. و در 0/5% مولی بیشترین مقدار خود را دارد.

اکسید لانتانیم، باز پخت، تکلیس، ریز ساختار، وریستور