شیده کبیری عامری ابوترابی
نسرین خزامی پور
ابراهیم اصل سلیمانی - آزمایشگاه نانو الکترونیک ولایه های نازک دانشکده مهندسی برق و کامپیو
شمس الدین مهاجر زاده - آزمایشگاه نانو الکترونیک ولایه های نازک دانشکده مهندسی برق و کامپیو

لایه های نازک اکسید روی (ZnO) بر روی زیر لایه های PET که از پیش با ساختار چند لایه ای Al2O3/SiO2 پوشانده شده ، توسط روش کندو پاش RF در حضور پلاسمای آرگون ، در توانهای RF مختلف ، لایه نشانی گردیده و ساختار کریستالی، مورفولوژی سطح، عبور نوری لایه ها در ناحیه مرئی به ترتیب توسط آنالیزهای: SEM , XRD و طیف سنجی UV/VIS/IR بررسی شده است. نتایج نشان می دهد که رشد لایه ها در جهت کریستالی ( 002 ) بوده و متوسط عبور نوری لایه ها بالای 85 % است . با افزایش توان عبور نوری لایه های اکسید روی در ناحیه مرئی و شدت کریستالی لایه ها افزایش می یابد. انرژی نوار ممنوعه نوری بین (ev)3/39-3/31 در توانهای مختلف RF تغییر می کند.