آمنه بازیار - دانشگاه شهید بهشتی
محمدجواد شریفی - دانشگاه شهید بهشتی

کارایی ترانزیستور های اثر میدانی الی در حال پیشرفت روزافزون است این پیشرفت مرهون مطالعات و تحقیقات انجام شده در زمینه های ساخت ، مدلسازی و شبیه سازی این ادوات می باشد دراین مقاله ترانزیستورهای اثر میدانی آلی با عایقهای گیت آلی مختلف شامل Polyimide , parylene-C,PMMA,PVP,CyEP شبیه سازی شده و عملکرد این ترانزیستور ها با پارامترهایی نظیر موبیلیتی اثر میدانی، ولتاژ آستانه، سوئینگ زیراستانه بیان میگردد. اثر عایقهای گیت مختلف و سطح مشترک عایق / ماده الی نیز بر مشخصات ترانزیستور های الی بررسی می شود.

پنتاسن، ترانزیستور اثر میدانی آلی، شبیه سازی ، عایق گیت پلیمری