مهرداد یزدانی
محمدباقر توکلی
حمیدرضا حسینی

در سال های اخیر ترانزیستورهای نانو لوله کربنی به شکل گسترده ای در مقیاس پژوهشی جای خود را بین محققین باز کرده است. بسیاری از مدارهای دیجیتال شامل گیت وارونگر و ... توسط این ترانزیستورها شبیه سازی شده اند. این پروسه فقط به شبیه سازی های گیت های دیجیتال خلاصه نگردیده و کم کم راه خود را به سمت مدارهای آنالوگ نیز هموار نموده اند. مدارهای تقویت کننده کم نویز جزو بلوک هایی هستند که برای شبیه سازی از ترانزیستورهای نانو بهره گرفته اند. این روند همچنان در حال پیشرفت می باشد. تلاشی که در این پایان نامه صورت گرفته است هدف خود را به انتقال یک مدل مداری خوب به نرم افزار ADS قرار داده است. بدین ترتیب با تعریف این مدل در نرم افزار و ساختن یک زیر مدار از آن به کتابخانه نرم افزار - ADS یک ترانزیستور جدید بر اساس مدل پیشنهادی اضافه گردیده است. سپس، با استفاده از این زیر مدار دو تقویت کننده کم نویز با پهنای باند وسیع شبیه سازی گردیده اند. در ابتدا تقویت کننده دیفرانسیلی با بار سلفی مورد بررسی قرار گرفته است. برای اینکه بتوان دیدی از کیفیت مدار به دست آورد، یک تقویت کننده مشابه و با همان توپولوژی ولی با استفاده از تکنولوژی CMOS نیز طراحی شده است. بدین ترتیب به راحتی وضعیت مدار تقویت کننده با ترانزیستورهای نانو قابل بررسی است. در ادامه یک مدار تقویت کننده بدون سلف پیشنهاد گردیده و با استفاده از دو تکنولوژی سیلیکون و نانو شبیه سازی شده است

تقویت کننده ی کم نویز، FINFET ، مدل ADS ، عدد نویز