رامین نوری بیات - دانشجوی دکتری برق و الکترونیک دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان
عبداله عباسی - استادیار دانشگاه سمنان
علی اصغر اروجی - استاد دانشکده برق و کامپیوتر دانشگاه سمنان

استفاده از ساختار ناهمگون در ترانزیستور اثر میدانی تونلی موجب کاهش شیب زیر آستانه می شود. در این مقاله با استفاده از ساختار پیشنهادی سه لایه ناهمگون ژرمانیوم-سیلیسیم-ژرمانیوم در ترانزیستور اثر میدانی تونلی علاوه بر کاهش شیب زیر آستانه جریان تونلی در ولتاژ گیت صفر به صفر رسیده و کنترل گیت بر جریان تونلی کانال افزایش یافته است.

ترانزیستور اثر میدانی تونلی، شیب زیر آستانه، پیوند ناهمگون، تونل زنی باند به باند