علی محمدی - گروه برق، موسسه آموزش عالی وحدت، تربت جام، ایران
محمدرضا اسماعیلی - دانشکده مهندسی برق و کامپیوتر، دانشگاه بیرجند، بیرجند، ایران
جواد حسن کاوه - اداره برق شهرستان تایباد، تایباد، ایران

روش جایگذاری بخار شیمیایی (CVD) تکنولوژی است که به طور گسترده در پردازش مواد استفاده می شود. قابلیت تغییر این روش منجر به رشد سریع و تبدیل به یکی از روش های اصلی پردازش برای جایگذاری فیلم های نازک شده است. در واقع این روش پوششی برای رنج گسترده ای ازکاربردها شامل نیمه هادی هایی مثل گروه های سه و پنج و گروه های دو و شش برای میکروالکترونیک، الکترونیک نوری، وسایل و تجهیزات تبدیل انرژی و عایق ها در میکرو الکترونیک می باشد. در این مقاله به طور خلاصه به بررسی ویژگی های نیترید سیلیکون، نحوه رشد لایه نیترید سیلکون به صورت مستقیم و نیز روش های لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار در فشار پایین (LPCVD) و لایه نشانی شیمیایی از فاز بخار پلاسما دردمای پایین (PECVD) و نیز مقایسه آن ها پرداخته است. همچنین در این مقاله با توجه به انواع مختلف زیرلایه های غیرسیلیکون، نیترید سیلیکون ((Si(3)N(4) که به دلیل خواص جالب آن مانند استحکام بالا، سبک وزن، مقاومت خوب در برابر شوک های حرارتی و اکسیداسیون طیف گسترده ای از کاربردها را در صنایع متعدد دارد، مورد بررسی قرار می دهد.

نیتریدسیلیسیم ((Si(3)N(4)، اکسیداسیون CVD