رسوبات آرسینک استفاده شده در ترکیبات دوتایی نیمه هادی در آشکارسازهای نوری فتو دیود پین در رنج میکرومتری

این اولین آشکارساز GAaS که در رنج نوری 1. 3 تا 1 . 5 میکرومتری کار می کند. این آشکارساز ، یک دیود نوری پین است که لایه مرکب ذاتی GAaS را در دمای 225 درجه سانتی گراد رشد دادیم و متعاقبا در حرارت 600 درجه سانتی گراد هم رشد دادیم. فرآیند رشد همان طور که شرح داده میشود با غلظت بالا ساخته میشود و از رسوب As در منطقه رشد دمای پایین است. ما اینجا اثر جذب را از طریق خروج الکترون از داخل فلز در اثر نیروی ناشی از نور و... را نشان میدهیم و همچنین پیدا کرده کردیم ارتفاع سد شاتکی را در حدود 657.. پیدا کردیم و نفوذ با حساسیت قابل قبول در حدود 1 . 7 میکرومتر در دمای اتاق است.

کلیدواژه ها:

آشکارساز ، دیود نوری پین و رسوب As