تاثیر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت نانوسیال اکسید مس در جریان آشفته در یک لوله افقی

در این پژوهش تاثیر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت نانوسیال اکسید مس در جریان آشفته در یک لوله افقی بطور آزمایشگاهی موردبررسی قرار گرفت. در این پژوهش از نانوسیال اکسید مس آب در غلظت های – 1 / 0 ، 5 / 0 و 1 درصد حجمی استفاده گردید. همچنینمیدان های مغناطیسی 200 ، 400 و 600 گوس بر لوله افقی اعمال گردید. نتایج تجربی نشان می دهد که در غیاب میدان مغناطیسی،ضریب انتقال حرارت جابجایی نانوسیال اکسید مس- آب نسبت به سیال پایه (آب خالص) افزایش می یابد و این افزایش را معادله جنی لینسکی نمی تواند پیش بینی کند. به عنوان مثال، ضریب انتقال حرارت جابجایی نانوسیال با غلظت 1 درصد حجمی از نانوذرات نسبت به آبخالص، بیش از 65 درصد افزایش دارد. با افزایش عدد هارتمن در یک غلظت ثابت و افزایش غلظت در یک هارتمن ثابت، عدد ناسلت کاهشیافت. به عنوان مثال، برای غلظت 1 درصد از نانوذرات اکسید مس و رینولدز 3000 ، با افزایش عدد هارتمن از (4-) 10 × 85 / 36 به (4-) 10 ×12 / 86 ، عدد ناسلت از 52 / 5 به 18 / 5 و ضریب انتقال حرارت جابجایی از 1095/06W/m(2).K به 946/37W/m(2).K کاهش می یابد. دلیلاین امر، افزایش ویسکوزیته نانوسیال در اثر اعمال میدان مغناطیسی به نظر می رسد که بر عوامل افزایش دهنده انتقال حرارت جابجایی غالبمی شود. لذا اعمال میدان مغناطیسی خارجی یکی از عوامل مهم تاثیرگذار روی عملکرد انتقال حرارت جابجایی نانوسیالات است و کنترلفرآیندهای انتقال حرارت می تواند از طریق اعمال میدان مغناطیسی خارجی انجام شود.

کلیدواژه ها:

میدان مغناطیسی ، انتقال حرارت ، نانوسیال ، اکسید مس ، جریان آشفته ، لوله افقی