مطالعه کلیدزنی دو پایا با آستانه پایین در بلور فوتونی یک بعدی غیر خطی

در این مقاله با استفاده از روش FDTD غیرخطی رفتار دوپایای نوری در بلور فوتونی یک بعدی بررسی شده است. در بلور فوتونی یک بعدی از اثر غیرخطی کر در مادهای با ضریب شکست nD=1.4 و ضریب شکست کر غیر خطی χ(3)=0.00001(ε0/µ0) استفاده شده است. شبیه سازی بلور فوتونی در دو فرکانس ωin=ω0 و ωin=0.8235ω0 تا شدت میدان الکتریکی 120 kV/m انجام شده است. همانطور که در شبیه سازی های انجام شده مشاهده گردید در حالت غیر خطی با فرکانس ورودی 0w ، پالس مثلثی ورودی به ساختار در لایه خرابی محدودمی شود ، ولی با تغییر فرکانس پالس ورودی از 0w به w0 0.8235 پالس ورودی وارد لایه خرابی نمی گردد یاضریب نفوذ آن بسیار پایین است. این تغییر فرکانس معادل با تغییر 0/039 در ضریب شکست لایه خرابی، nD ، است. از این خاصیت میتوان به عنوان سوییچ دوپایا استفاده کرد.

کلیدواژه ها:

کلیدزنی دو پایا ، بلور فوتونی ، FDTD غیرخطی ، آستانه پایین ، ضریب شکست لایه نقص.