Optical Field Enhancement Factor of Silicon and Indium Phosphide Nano-cavities
محل انتشار: کنفرانس ملی نانو ساختارها علوم و مهندسی نانو
سال انتشار: 1398
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: انگلیسی
مشاهده: 392
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
NCNNN03_004
تاریخ نمایه سازی: 5 آذر 1398
چکیده مقاله:
Nano cavities based on silicon and indium phosphide materials have been compared inthis study, considering field intensity enhancement factor. The results of FDTD basedsimulations declare that the Si nano-cavity improves confined optical field about 7.7times higher than the InP based nano-cavity. The introduced dielectric nano-cavitiessupport resonance wavelength at about λ = 1.55 μm.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
Nassibeh Ebadi
Assistant Professor, Department of Electrical Engineering, Roshdiyeh Higher Education Institute, Tabriz, Iran