بررسی و مقایسه نانو ماسفت های دوگیته با cntfet

در دهه های اخیر به علت پیشرفت زیاد در الکترونیک، طول کانال ماسفتها به مقیاس دکا نانو و سرعت دو قطبیها نیز به هزاران گیگاهرتز رسیده است. در چنین ماسفتهایی که اندازه قطعه از طول پراکندگی حامل کوچک تر است احتمال این که حامل ها کانال را از الکترودهای سورس به درین بدون مواجهه با رخداد پراکندگی طی کنند بسیار زیاد می باشد؛ به چنین ترابردی به اصطلاح ترابرد بالیستیک گویند. ولی در عمل مشخصات نانو ماسفتها با حالت ایده آل و ترابرد بالیستیک فاصله داشته که این به خاطر وجود پراکندگی در کانال میباشد. دراین کار پژوهشی علل ایجاد پراکندگی در کانال بررسی شده و در آخر راهکارهایی برای کاهش آن مطرح گردیده است. یکی از موارد کاهش پراکندگی کانال استفاده از نانولولههای کربنی در کانال بوده که تاثیرات آن مورد بررسی قرار گرفته است. در آخر نیز با استفاده از شبیه ساز سیلواکو منحنی مشخصه V - I یک FET دو گیته با CNTFET دو گیته ترسیم و مقایسه شده است.|

کلیدواژه ها:

نانو ماسفت CNTFET ، ماسفت دو گیته ، پراکندگی