ارائه مدل سیگنال کوچک ترانزیستور سیلیکون روی الماس با عایق دو لایه و محاسبه فرکانس قطع

ترانزیستورهای سیلیکون روی عایق (SOI) برای استفاده در کاربردهای RF و چند سیگناله ویژگیهای مناسبی از خود نشان میدهند. ترانزیستور موردنظر در این مقاله نیز از نوع سیلیکون روی الماس (SOD) بوده و دارای یک لایه عایق اضافی اکسید سیلیکون میباشد، این لایه برای بهبود اثرات کانال کوتاه استفاده شده است. در این مقاله مدل سیگنال کوچک این نوع از افزاره بدست آمده است. المانهای مدار معادل سیگنال کوچک این افزاره به طور کامل اندازه گیری و محاسبه شده اند. با استفاده از مدل سیگنال کوچک بدست آمده برای بررسی مشخصات RF استفاده شده است. یکی از مشخصات RF این ترانزیستور((fTدر این مقاله محاسبه شده است. مقدار fTحدودا، 397 GHz میباشد.

کلیدواژه ها:

UTBB ، سیلیکون روی الماس ، معیار RF ، مدل سیگنال کوچک ، سیستم روی چیپ