یک سلول چهار ترانزیستوری جدید SRAM با توان مصرفی کم
محل انتشار: سیزدهمین کنفرانس سالانه انجمن کامپیوتر ایران
سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,070
فایل این مقاله در 8 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
ACCSI13_022
تاریخ نمایه سازی: 25 آبان 1386
چکیده مقاله:
این مقاله یک سلول چهار ترانزیستوریCMOS جدید SRAMرا ارائه می دهد. از این سلول می توان در SRAM ها با تراکم بسیار بالا و توان مصرفی کم استفاده کرد. سلول جدید از یک Word- Lineو یک Bit-Line استفاده می کند، و داده خود را با استفاده از مسیر فیدبک و جریان نشتی ترانزیستور ها بدون استفاده از سیکل تازه سازی نگهداری می کند. در قوانین طراحی Layout یکسان، سلول جدید ٢٥ در صد مساحت کمتری را نسبت به سلول شش ترانزیستوری پایه اشغال می کند. انرژی مصرفی پویای سلول ارائه شده و سلول شش ترانزیستوری پایه به صورت تحلیلی مورد بررسی قرار گرفته اند، سلول جدید ٦٠ در صد انرژی مصرفی پویای کمتری نسبت به سلول پایه دارد. به علاوه سلول جدید و سلول شش ترازیستوری پایه در تکنولوژی ٢٠٠٦ /٢٥μm استاندارد با HSPICE شبیه سازی شده اند. نتایج شبیه سازی نشان می دهد که سلول جدید به در ستی کار می کند و کارایی مناسبی در مقایسه با سلول شش ترانزیستوری پایه دارا می باشد. همچنین نتایج شبیه سازی نشان می دهد که عبارت های تحلیلی به دست آمده دارای دقت مناسبی می باشند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
آرش عزیزی مزرعه
دانشگاه آزاد اسلامی واحد سیرجان
محمدتقی منظوری
دانشگاه صنعتی شریف، دانشکده مهندسی کامپیوتر
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :