فلز گالیوم آرسناید

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,116

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

AEBSCONF01_043

تاریخ نمایه سازی: 6 آبان 1393

چکیده مقاله:

افزایش تقاضا برای وسایل الکترونیکی حالت جامد که کیفیت بهتر و سرعت بیشتری نسبت به نمونه های موجود داشته باشند سبب توجه زیاد به گالیوم آرسناید GaAs شده است. این ماده که نخستین بار در اواخر دهه 1920 میلادی به دست آمد ترکیبی از عنصرهای گروه های 3 و 5 جدول تناوبی عناصر است و راهی طولانی را در جاده پژوهش برای رسیدن به بازار نیمه رساناها پیموده است. پاسخ به این پرسش که آیا این ماده جای سیلیسیوم را در این بازار خواهد گرفت یا نه به راستی مشکل است. با استفاده از گالیوم آرسناید، بسیاری از اسباب ها و قطعات الکترونیکی قادرند در بدترین و سخت ترین شرایط، به خوبی کار کنند. مقاومت آن در برابر تابش و کارایی خوب آن در دماهای زیاد، استفاده از آن را در بسیاری از کاربردهای فن آوری امروزه که در آنها عامل جا یا فضا نقشی اساسی بازی می کند، امکان پذیر ساخته است. تحرک بسیار زیاد الکترونها در این ماده، طراحی و ساخت ابر کامپیوترهای سریع تر و کارآمدتر را ممکن ساخته است.

نویسندگان

ایمان باقرپور

دانشگاه آزاد اسلامی واحد سروستان،باشگاه پژوهشگران جوان و نخبگان،سروستان،ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :