بررسی پایداری فلوروگرافن با استفاده از روش DFT

سال انتشار: 1393
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 904

فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

AEBSCONF01_150

تاریخ نمایه سازی: 6 آبان 1393

چکیده مقاله:

گرافن نامی است که به لایه ای منفرد از شبکه ی لانه زنبوری اتم های کربن داده شده است. گرافن گاف نواری صفر دارد. برای ایجاد گاف نواری در گرافن روش های مختلفی وجود دارد که یکی ا زاین روش ها هالوژن دار کردن گرافن می باشد. از آن جایی که فلوروگرافن نسبت به دیگر ترکیبات هالوژن دار گرافن از پایداری بیشتری برخوردار است ما در این مقاله به بررسی خواص فلورو گرافن می پردازیم و از آن جایی که شکل صندلی فلوروگرافن نسبت به شکل های دیگر آن از پایداری بیشتری برخوردار است به مطالعه پیرامون آن می پردازیم. در این مقاله با استفاده از نظریه ی تابعی چگالی ابتدا میزان پایداری فلوروگرافن را در مقایسه با گرافن خالص مورد بررسی قرار می دهیم و سپس تاثیر افزایش تعداد حلقه ها در مولکول فلوروگرافن را در پایداری فلوروگرافن مورد بررسی قرار می دهیم. دراین مقاله، با استفاده از نرم افزار گاوسین 09، همه شبیه سازی ها و محاسبات را بر پایه نظریه ی تابعی چگالی و با مجموعه پایهG 6-31 انجام خواهیم داد. نشان داده می شود که فلوروگرافن سه حلقه ای نسبت به گرافن از پایداری کمتری برخوردار است و می توان با افزایش تعداد حلقه ها در مولکول فلوروگرافن، پایداری را افزایش داد. با استفاده از پنج کمیت گشتاور دو قطبی، سختی، انرژی کل سیستم، قطبش پذیری، فاصله ی بین اوربیتال های مولکولی Homo و Lumo میزان پایداری سیستم های گرافن 20 حلقه ای، فلوروگرافن سه حلقه ای و فلوروگرافن شش حلقه ای را مورد بررسی قرار می دهیم.

نویسندگان

مژده اسپوتین

دانشگاه پیام نور واحد شیراز

تهمینه جلالی

دانشگاه خلیج فارس بوشهر

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Lu, X. K., Yu, M. F., Huang, H., &Ruoff, R. ...
  • Novoselov, K. S..Fal'ko, V. I..Colombo, LGellert, P. R., Schwab, M. ...
  • Schwierz, F. 2010. Graphene transistors .Nature N anotechnology. 5, 487. ...
  • McCann, E. 2006. Asymmetry gap in the electronic band structure ...
  • Cheng, S. H., Zou, K., Gutierrez, H. R., Gupta, A., ...
  • Karlicky, F., Zbofil, & R., Otyepka, M. 2012. Band gaps ...
  • Leenaerts, O., Peelaers, H., Nieves, A. D. H., Partoens, B., ...
  • Zbor il, R. , ekKarlicky , F. , Bourlinos, A.B., ...
  • Kummel, S., & Kronik, L. 2008 _ Orbital -dependent density ...
  • نمایش کامل مراجع