بررسی تأثیر امواج فرا صوت ودرجه حرارت بر جوانه زنی غده های سیب زمینی

به منظور ارزیابی اثر امواج فراصوت و درجه حرارت بر خصوصیات جوانه زنی غده های سیب زمینی شامل درصد جوانه زنی، تعداد ساقه ، تعداد استند (ساقه های ریز مینی دارای غده) تعداد کل غده وارتفاع ساقه اجرا شد. آزمایش بصورت طرح کاملا تصادفی در 4 تکرار اجرا گردید. دراین آزمایش غده های سیب زمینی در قالب تیمارهای زمانی مختلف صفر (T1) ، چهار (T2) ، هشت (T3) و دوازده (T4) دقیقه در معرض امواج فراصوت 42 KHZ قرار گرفتند. تیمار T1 شاهد آزماییش بود.همچنین 4 تیمار دمایی شامل: 15 - 20 - 25 - 30 درجه سانتی گراد استفاده شد. سپس با قرار دادن غده های هر تیمار در شرایط مطلوب روشنایی و رطوبتی به بررسی خصوصیات جوانه زنی اقدام گردید. نتایج حاصل از تجریه واریانس داده ها نشان دهنده معنی دار بودن اثر تیمارهایآزمایشی روی صفات مورد مطالعه بود. این امر حاکی از حساسیت غده های سیب زمینی به امواج فراصوت و دما می باشد. نتایج جدول تجزیه واریانس نشان داد که درصد ساقه های ایجاد شده در تیمارهای D2 ، D3 و D4 به ترتیب نسبت به تیمار شاهد (D1) از 81/23 به 88/05، 82/47 و 92/87 افزایش یافت است. همچنین سرعت جوانه زنی،تعداد غده، طول ساقه و تعداد استند در تیمارهای D2 و D3 نسبت به شاهد بطور معنی داری افزایش یافت و سپس در تیمار D4 مقدار افزایش نسبت به شاهد افزایش معنی داری نشان نداد. در رابطه با دما نیز مشخص شد که تیمار T4 در کلیه صفات مورد مطالعه افزایش معنی داری نسبت به شاهد داشته است ولی سایر تیمارهای که شامل T1 ، T2 و T3 می باشند روی صفات افزایش معنی داری به همراه نداشتند. بطوریکه درصد جوانه زنی بذور به ترتیب در تیمارهای ، T2 و T3 نسبت به تیمار شاهد (T1) از 85/23 به 88/45 و 90/05 رسید.

کلیدواژه ها:

امواج التراسونیک ، جوانه زنی ، سیب زمینی