مدار قرائت توان پائین CMOS با استفاده از روش سیگما- دلتا برای آرایه ی حسگرهای شیمیایی با مقاومت متغیر ناهمگن در مقیاس میکرو و نانو

در این مقاله یک مدار قرائت برای حافظه های مقاومتی طراحی و با نرم افزار Hspice شبیه سازی شده است. به منظور طراحی مدار واسط با توان پائین از روش سیگما- دلتا استفاده شده است. لازم به ذکر است با استفاده از این روش با دقت بسیار بالا می توانیم ورودی های آنالوگ نویز دار و ... را به مقادیر دیجتالی تبدیل کنیم. مدار ارائه شده در این مقاله تنها برای یک بیت در نظر گرفته شده و با استفاده از نرم افزار Hspice 2008 و تکنولوژی 180nm شبیه سازی شده است.

کلیدواژه ها:

، «حافظه های مقاومتی» ، «توان پائین» ، «سیگما- دلتا»