بررسی خواص ترابردی الکترونها در نیمرسانای InP در میدانهای الکتریکی ضعیف

با حل مستقیم معادله ترابردی بولتزمن به روش تکرار ، بستگی تحرک پذیری به دما و چگالی الکترونها در نیمرسانای InP محاسبه و با دو نیمرسانای InAs و Ga0.51In0.49P مقایسه شده است . در محاسبه تحرک پذیری ، پراکندگی از فونون های آکوستیکی ، پیزوالکتریک ، اتم های ناخالصی یونیده و فونون های اپتیکی قطبی برای یک نوار رسانش غیر سهموی با توابع موج ترکیبی در نظر گرفته شده است . نتایج محاسبات با داده های تجربی و محاسبه با تقریب زمان واهلش که در مقالات منتشر شده ، مقایسه شده است که توافق خوبی بین نظریه و تجربه را نشان می دهد.

کلیدواژه ها:

پراکندگی الکترون ، تحرک پذیری الکترون ، روش تکرار