یک نانو وایرترانزیستوراثر میدانی سیلیسیومی دورتا دورگیتی دو ماده ای با کار برد بالا

سال انتشار: 1396
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 375

فایل این مقاله در 5 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

ARGCONF02_003

تاریخ نمایه سازی: 11 خرداد 1397

چکیده مقاله:

در این مقاله یک ترانزیستور فین فت با ساختار استوانه ای، دوگیتی دوماده ای برای بهبود اثرات کوتاه کانال ارایه و بررسی شده است.در گیت های دو ماده ای، دو ماده ی متفاوت با توابع کار مختلف، به صورت جانبی به هم متصل می شوند. در نتیجه توزیع میدان الکتریکی در کانال نسبت به گیت های یک ماده ای یکنواخت تر شده و سرعت حامل ها هنگام ورود از سورس به کانال افزایش می یابد که این باعث بهبود جریان الکتریکی در ترانزیستور می گردد. در این ساختار، قسمتی از گیت فین فت از پلی سیلیسیم و قسمتی دیگر از آلومینیوم انتخاب شده و تاثیرات طول گیت و طول کانال بر روی عملکرد این نوع افزاره مورد مطالعه قرار میگیرد. نتایج نشان میدهند که کاهش طول کانال منجر به افزایش جریان درین میشود. همچنین در طولهای گیت کمتر میزان جریان روشن بهبود یافته میزان ولتاژ آستانه نیز کاهش مییابد. لذا این ساختار میتواند کاندید مناسبی برای ترانزیستورهای ابعاد نانو باشد.

نویسندگان

فرامرز عظیمی

دانشگاه آزاد اسلامی واحد ورامین_ پیشوا ، دانشکده برق ، تهران

زینب رمضانی

دانشگاه آزاد اسلامی واحدورامین_پیشوا،دانشکده برق،تهران

علی اصغر اروجی

دانشگاه سمنان، دانشکده مهندسی برق وکامپیوتر، سمنان