بررسی سلول حافظه SRAM چهار ترانزیستوری غیر فرار مبتنی بر ممریستور با ولتاژ پایین برای فناوری نانومتر

فناوری های نوظهور به منظور کاهش اتلاف توان، در حالت آماده به کار مدارات، به کار گرفته می شوند. حافظه های غیر فرار، یک تراشه را قادر به حفظ اطلاعات بعد از زمان خاموشی نیز می کنند. این حافظه غیرفرار می تواند از طریق تکنولوژی حافظه ممریستور حاصل شود. استفاده از ممریستور در مدارات جدید و معماری های جدید، انقلابی است که به شدت آینده سیستم های الکترونیکی را تحت تاثیر قرار داده و دانشی جدید را پدید خواهد آورد، یک تکنولوژی نو ظهور امیدوار کننده با خواص منحصر به فرد مانند چگالی بالا، توان کم و مقیاس پذیری خوب است، و از طرفی کوچکی و سرعت بالای آن هم مورد توجه قرار می گیرد. بنابراین در این مقاله ما از یک سلول SRAM اصلاح شده که با ممریستور ترکیب شده است و اجازه حفظ داده ها را در قدرت به پایین بدون نیاز به مدارات کمکی به سلول SRAM می دهد، استفاده می کنیم. شبیه سازی در ولتاژ تغذیه 0.8 ولت انجام شده است.

کلیدواژه ها:

حافظه غیرفرار ، ممریستور ، فناوری نانومتر ، SRAM ، توان مصرفی