مدلسازی جریان کوانتمی در ترانزیستورهای تک الکترونی گرافنی با یک جزیره

ترانزیستو تک الکترونی قطعه ای در ابعاد نانومتر است که از تونل زنی الکترون برای تقویت جریان آن استفاده می شود. بنابراین در این ترانزیستورها جزیره کوچک می شود و تغییرات کوچک درشکل جزیره باعث تغییرات غیرقابل پیش بینی و قابل توجهی در محدوده سطوح انرژی و در نتیجه باعث تغییر در ولتاژ دستگاه خواهد شد. در این تحقیق، ابتدا ترانزیستور تک الکترونی پایه گرافنی مدل سازی می شود و سپس ضریب عبور و جریان کوانتمی در ترانزیستورهای تک الکترونی گرافنی با یک جزیره را بدست آورده و با جریان ترانزیستورهای با نقاط کوانتمی سیلیکونی مقایسه می شود.

کلیدواژه ها:

ترانزیستورهای گرافنی ، ضریب عبور ، جریان کوانتمی ، جزیره ، مدلسازی