مطالعه اثر میدان مغناطیسی بر جریان و انتقال حرارت جابجایی اجباری نانوسیال در یک لوله با مقطع بیضی

با توجه به اهمیت نانو سیال، مجراهای با سطح مقطع بیضوی و جریان مغشوش در صنعت، کار حاضر با هدف بررسی اثر کسر حجمی و ضریب منظری و همچنین اثر میدان مغناطیسی بر انتقال حرارت جابجایی اجباری جریان مغشوش نانوسیال درون یک مجرای طویل بیضوی تعریف شده است. نانو سیال مورد استفاده آب مس می باشد و شرط مرزی دیواره مجرا دما ثابت است. برای حل مسیله حاضر از مدل مغشوش k-ε برای مغشوش بودن جریان نانوسیال استفاده شده است. در این بررسی تمام خواص فیزیکی ثابت در نظر گرفته شده اند و تاثیر کسر حجمی، نسبت منظری و شدت میدان مغناطیسی بر روی پارامترهای حرارتی و هیدرودینامیکی مورد بررسی قرار گرفته و نتایج آنها تجزیه و تحلیل شده است. هندسه مورد نظر در نرم افزار گمبیت رسم و در نرم افزار فلوینت تحلیل شده است. قابل ذکر است که برای در نظر گرفتن میدان مغناطیسی برنامه UDF نوشته شده است. نتایج حاکی از آن است که با افزایش کسر حجمی انتقال حرارت افزایش می یابد و در ضریب منظری 0.75 انتقال حرارت بیشتر از ضریب منظری 1 می باشد. همچنین نتایج برای شدت میدان مغناطیسی نشان داد که با افزایش میزان آن، ضریب انتقال حرارت جابجایی و عدد بی بعد ناسلت افزایش می یابد.

کلیدواژه ها:

نانوسیال ، جریان دوفازی ، مدل مخلوط غیر همگن ، انتقال حرارت جابجایی ، میدان مغناطیسی