مدل سازی خازن حاشیه ای گیت در FinFet ها با حضور RSD و Metal Contact در ساختار آن، توسط روش 3 بعدی

در این مقاله، خازن حاشیه ای گیت برای FinFet ها با حضور RSD و Metal Contact در ساختار آن مدل سازی شده است. این مدل سازی توسط روش 3 بعدی به شکل دقیق صورت گرفته است که این روش استفاده شده، توسط شبیه سازی های گسترده COMSOL مورد تایید واقع شده است. دقت مدل نهایی ارائه شده توسط شبیه ساز 3 بعدی Raphael تایید گردیده است. در نهایت، دقت خازن کل حاشیه ای بیرونی محاسبه شده با پیش بینی هایی که به شکل پیش فرض توسط مدل های BSIM-CMG انجام گرفته است، مقایسه شده اند. مدل تحلیلی پیشنهادی این امکان را دارا است که از آن به عنوان یک مدل مختصر و دقیق برای شبیه سازی دقیق مدار استفاده گردد.

کلیدواژه ها:

ترانزیستورهای اثر میدانی fin ، خازن حاشیه ای ، مدل تحلیلی ، مدل سازی 3 بعدی ، BSIM-CMG