بررسی و مقایسه موبیلیتی ترانزیستور بر مبنای Si و MoS2 لایه نازک

با توجه به اینکه تکنولوژی به سمت کمتر شدن حجم می رود هدف از انجام این مقاله استفاده از این مواد در ادوات نیمه هادی مورد استفاده در مدارهای مجتمع مانند ترانزیستور است. بر خلاف گرافن، باند گپ پایین (1-ev2) موجود در لایه های نیمه هادی مولبیدن دی سولفات که بوسیله مهندسی موبیلیتی آن افزایش یافته است یک جذابیت دست یافتنی برای استفاده از ترانزیستورهای اثر میدان مولبیدن دی سولفات تک لایه با لایه عایق اضافی high-K است که می تواند محدودیت های تجاری سازی آنرا توجیه کند.

کلیدواژه ها:

خواص الکترونیکی ، سیلیسن ، MoS2 تک لایه ، Si/MoS2