طراحی و شبیه سازی تقویت کننده فرکانس بالا با نویز پایین

سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 730

فایل این مقاله در 7 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

BPJCEE01_132

تاریخ نمایه سازی: 6 اسفند 1395

چکیده مقاله:

این مقاله یک تقویت کننده تک طبقه نویز پایین آبشاری را در فرکانس 5.8GHZ با استفاده از تکنیک های تطبیق T جهت استاندارد 802.16 IEEE ارائه می کند. تقویت کننده از ترانزیستور اثر میدانی FHX76LP دارای تکنولوژی HEMT با نویز پایین استفاده می کند. شبیه سازی این طرح با استفاده از نرم افزار ADS ( طراحی سیستم پیشرفته ) انجام شده این تقویت کننده نویز پایین (LNA) دارای بهره 17.21dB و نویز فیگر 0.845dB می باشد. ضریب انعکاس ورودی ( S11) و تلفات برگشتی در خروجی (S22) به ترتیب 12.71dB- و 15.52dB- می باشند. پهنای باند تقویت کننده 1GHZ می باشد. حساسیت ورودی مطابق با استانداردهای IEEE 802.16 می باشد.

نویسندگان

داریوش رزمجویی

گروه مهندسی برق، واحد شیراز، دانشگاه آزاد اسلامی، شیراز، ایران

مجتبی صادقی

گروه مهندسی برق، واحد شیراز، دانشگاه آزاد اسلامی، شیراز، ایران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :
  • Ruey-Lue Wang, Shih-ChihChen , Cheng-Lin Huang, Chien- "2-6GHz C urrent-reused ...
  • Trans former-type Inductors." IEEE 2008. ...
  • Leon, Michael Angelo G.Lorenzo and Maria Theresa G.De "Comparison of ...
  • M.Pozar, David. Microwave and RF Wireless System.Third Avenue, N .Y.John ...
  • Gonzalez, Guillermo. Microwave Transistor Amplifier. 1996. ...
  • Othman A.R, HamidonA. H, Ting J.T.H and Mustaffa M.F "High ...
  • Weber, Wuezhan Wang and Robert. "Design of a CMOS Low ...
  • نمایش کامل مراجع