CIVILICA We Respect the Science
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
عنوان
مقاله

خواص الکترونیکی الگوهای انباشت های متفاوت برای سیلیسن های خمیده زیاد و کم بر روی لایه ی MoS2

اعتبار موردنیاز : ۱ | تعداد صفحات: ۷ | تعداد نمایش خلاصه: ۱۰۷ | نظرات: ۰
سرفصل ارائه مقاله: electronic&nano
سال انتشار: ۱۳۹۵
کد COI مقاله: BPJCEE01_134
زبان مقاله: فارسی
حجم فایل: ۸۲۷.۳۶ کیلوبایت (فایل این مقاله در ۷ صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد)

راهنمای دانلود فایل کامل این مقاله

اگر در مجموعه سیویلیکا عضو نیستید، به راحتی می توانید از طریق فرم روبرو اصل این مقاله را خریداری نمایید.
با عضویت در سیویلیکا می توانید اصل مقالات را با حداقل ۳۳ درصد تخفیف (دو سوم قیمت خرید تک مقاله) دریافت نمایید. برای عضویت در سیویلیکا به صفحه ثبت نام مراجعه نمایید. در صورتی که دارای نام کاربری در مجموعه سیویلیکا هستید، ابتدا از قسمت بالای صفحه با نام کاربری خود وارد شده و سپس به این صفحه مراجعه نمایید.
لطفا قبل از اقدام به خرید اینترنتی این مقاله، ابتدا تعداد صفحات مقاله را در بالای این صفحه کنترل نمایید.
برای راهنمایی کاملتر راهنمای سایت را مطالعه کنید.

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای ۷ صفحه است در اختیار داشته باشید.

قیمت این مقاله : ۳,۰۰۰ تومان

آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله خواص الکترونیکی الگوهای انباشت های متفاوت برای سیلیسن های خمیده زیاد و کم بر روی لایه ی MoS2

  محمد شمسی پور - دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
  فرحناز ذاکریان - دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد
  مجید پوراحمدی - دانشگاه آزاد اسلامی واحد یزد

چکیده مقاله:

سطح واسط بین سیلیسن و لایه ی مواد نقش مهمی را در ویژگی های الکترونیکی سیستم ایفا می کند. ترکیب ( سنتز) سیلیسن بسیار خمیده (HB) با سطح حجیم MoS2 گزارش شده است. با استفاده از محاسبات اصول اولیه، سطوح مشترک لایه های سیلیسن و تک لایه ی MoS2 بررسی شد. متوجه شدیم که سیلیسن قادر به جذب لایه ی MoS2 به وسیله ی تبادلات van der Waals (vdW) است که دگر ساختارهای (heterostructures)HB و خمیده کم (LB) را شکل دهد. اختلاف شبکه ی بین سیلیسن LB و لایه ی MoS2 منجر به شکل گیری ابرساختار Moire می شود. دگرساختارهای سیلیسن HB بر روی لایه ی MoS2 فلزی هستند، در حالی که دگرساختار سیلیسن LB بر روی لایه ی MoS2 نیمه هادی هایی با شکاف نوار کوچکی به دلیل اثرات سطوح میانی است. شکاف نوار در جایی که انرژی شکل گیری وجود ندارد وابسته به زاویه ی چرخش و الگوی انباشت است. از قابلیت حمل و جا به جایی سلیسین LB در این ساختارها حفاظت شده است. به علاوه، شکاف نوار را می توان با اعمال یک میدان الکتریکی عمدی میزان کرد. این ویژگی ها برای ساخت تجهیزات الکترونیکی scale نشده به وسیله ی سلیسین مفید می باشند.

کلیدواژه‌ها:

سیلیسن، MoS2، LB، HB

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:
https://www.civilica.com/Paper-BPJCEE01-BPJCEE01_134.html
کد COI مقاله: BPJCEE01_134

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
شمسی پور, محمد؛ فرحناز ذاکریان و مجید پوراحمدی، ۱۳۹۵، خواص الکترونیکی الگوهای انباشت های متفاوت برای سیلیسن های خمیده زیاد و کم بر روی لایه ی MoS2، اولین همایش ملی مهندسی برق باشگاه پژوهشگران جوان و نخبگان، شیراز، دانشگاه آزاد اسلامی شیراز و کازرون، https://www.civilica.com/Paper-BPJCEE01-BPJCEE01_134.html

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (شمسی پور, محمد؛ فرحناز ذاکریان و مجید پوراحمدی، ۱۳۹۵)
برای بار دوم به بعد: (شمسی پور؛ ذاکریان و پوراحمدی، ۱۳۹۵)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

علم سنجی و رتبه بندی مقاله

مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
نوع مرکز: دانشگاه آزاد
تعداد مقالات: ۶۴۷۹
در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

مدیریت اطلاعات پژوهشی

اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

مقالات پیشنهادی مرتبط

مقالات مرتبط جدید

شبکه تبلیغات علمی کشور

به اشتراک گذاری این صفحه

اطلاعات بیشتر درباره COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.