بررسی خواص ترانزیستوراثرمیدان نانونوارگرافینی درحضورانحراف لبه های نانونوار
محل انتشار: دومین همایش سراسری کاربردهای دفاعی علوم نانو
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 649
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
BSNANO02_033
تاریخ نمایه سازی: 9 بهمن 1392
چکیده مقاله:
اخیرااستفاده ازگرافین به علت گیت درترانزیستورهای اثرمیدان بسیارموردتوجه قرارگرفته است این مقاله به بررسی این افزاره ها باوجود ناصافی لبه های نانونوارگرافینی می پردازد برای بدست اوردن خواص افزاره بااستفاده ازتابع گرین غیرتعادلی و درنظرگرفتن اثرسومین همسایه نزدیک به همراه تصحیح تاثیر اولین همسایه نزدیک به سبب انحراف لبه ها نتایج شبیه سازی برای 200نمونه صورت گرفته و متوسط گیری شده ست
کلیدواژه ها:
نویسندگان
آرش یزدانپناه گوهرریزی
دانشگاه تهران
ابوالفضل چمن مطلق
دانشگاه جامع امام حسین ع
علی میر
دانشگاه لرستان
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :