بررسی اثرتغییرغلظت آلومینیوم برروی پتانسیل محصورکنندگی نقطه کوانتومی AlGaAs/GaAs
محل انتشار: دومین همایش سراسری کاربردهای دفاعی علوم نانو
سال انتشار: 1390
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 493
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
BSNANO02_143
تاریخ نمایه سازی: 9 بهمن 1392
چکیده مقاله:
دراین مقاله ارتفاع پتانسیل دیواره و جرم موثرالکترون ها درنواررسانش برحسب غلظت الومینیوم برای نقطه کوانتومی GaAs که توسط Al Ga As احاطه شده محاسبه شده است نتایج نشان میدهد که با افزایش کسرمولی الومینیم ارتفاع پتانسیل دیواره و جرم موثرالکترون درنواررسانش افزایش پیدا می کند
کلیدواژه ها:
نویسندگان
اسماعیل مرتضوی
دانشگاه جامع امام حسین ع
محمدعلی طالبیان
دانشگاه جامع امام حسین ع
قاسم رضایی
دانشگاه یاسوج
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :