مطالعه ابتدابه ساکن توپولوژی چگالی بارالکترونی درنانوسیمMnAs تحت تنش طولی

دراین پروژه به مطالعه ابتدابه ساکن نمونه ای فلزی که درصنایع اسپین ترونیک نانوالکترونیک و نانوترانزیستور حائز اهمیت است پرداخته ایم کلیه محاسبات درچارچوب نظریه تابعی چگالی DFT میباشند وبرای انجام پروژه ازکدهای محاسباتی WIEN2kوCRITIC استفاده شده است محاسبات توپولوژی توسط کدCRITIC که برپایه چگالی بارالکترونی بدست امده ازکدمحاسباتی WIEN2k می باشد انجام شده است مطالعات پروژه براساس روش توپولوژی چگالی بارالکترونی به عنوان یک میدان اسکالر درسه بعدصورت گرفته است این مطالعات ازمنظر رفتارتوپولوژی چگالی بارالکترونی ساختارMnAs درفاز هگزاگونال تحت تنش طولی درطولهای مختلف دربخش نانوسیم ماده انجام شدها ست دراین پروژه ابتدا نانوسیم را تحت تنش طولی قرارمیدهیم نقطه گسیختن نانوسیم باتغییرات ناگهانی درکمیت های توپولوژیکی و همچنین خارج شدن ازرفتارکشسانی باتغییرات محسوس دررفتارتوپولوژی همراه است دراین پروژه همچنین به معرفی روش محاسبه مدول یانگ درنانوسیم MnAs ومقداربدست امده مدول یانگ نیز اشاره شده است

کلیدواژه ها:

نظریه تابعی چگالی DFT ، اسپین ترونیک ، توپولوژی چگالی بارالکترونی ، نانوسیم ، کدمحاسباتیCRITIC