ساخت یک سلول خورشیدی تک پیوندی به روش رونشستی پرتومولکولی

سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 787

فایل این مقاله در 10 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

BSNANO03_148

تاریخ نمایه سازی: 9 بهمن 1392

چکیده مقاله:

اساس تولید انرژی الکتریکی در سلولهای خورشیدی، پدیده فتوولتالیک است که طی آن در یک پیوندpnبر اثر تابش نور، جریان الکتریکی تولید می شود. هدف از این مقاله، ارائه یک سلول خورشیدی بدست آمده از روش رونشستی پرتو مولکولی می باشد. این سلول خورشیدی از طریق رشد یک لایه با ضخامت چند اتم، از جنس گالیم آرسناید نوعnبا ناخالصی سیلیکون، بر روی زیر لایه ای از جنس گالیم آرسناید نوعPبا چگالی معین رشد داده می شود، رشد این لایه گالیم آرسناید توسط دستگاه رونشستی پرتو مولکولی، صورت گرفته است. زیرا دستگاه رونشستی با کمک پرتو مولکولی قادر است لایههایی از نیمه هادیهای مختلف را بر روی زیر لایه نیمه هادی گالیم آرسناید بنشاند. با توجه به مقادیر محاسبه شده در این آزمایش و با مقایسه با نتایج آزمایشهای قبلی انجام شده، ملاحظه می شودکه افزایش ولتاژ مدار باز سبب افزایش بازده سلول خورشیدی می شود، زیرا افزایش ولتاژ مدار باز سبب کاهش شدید، سرعت باز ترکیب حاملها در نیمه هادی می شود

کلیدواژه ها:

پدیده فتوولتالیک ، پیوندpn ولتاژ مدار باز- رونشستی پرتو مولکولی

نویسندگان

حجت حمیدی

دانشگاه صنعتی خواجه نصیرالدین طوسی تهران

مراجع و منابع این مقاله:

لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :