طراحی و شبیه سازی گیت وارونگر پنجارزشی (SPI) جدید مبتنی بر ترانزیستورهای نانولوله کربنی
سال انتشار: 1395
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 607
فایل این مقاله در 11 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CBCONF01_0320
تاریخ نمایه سازی: 16 شهریور 1395
چکیده مقاله:
در این مقاله ما، یک ساختار جدید گیت وارونگر پنجارزشی استاندارد (SPI(Standard pentary Inverter مبتنی برترانزیستورهای اثر میدانی نانولوله کربنی پیشنهاد کرده ایم. این ساختار را خانواده شبه P می نامیم و آن را با خانواده شبهN مقایسه خواهیم کرد.خانواده شبه P از ترانزیستور نوع N به عنوان بار فعال بهره می برد. برای مقایسه، تاخیر انتشار،توان مصرفی و حاشیه نویز نمونه ی پیشنهادی را با استفاده از شبیه ساز HSPICE بدست آورده ایم، نتایج حاصل نشانمی دهند طرح خانواده شبه N تاخیر کمتری دارد و حال آنکه خانواده شبه P توان مصرفی کمتری را شامل می شود.ولیمقدار حاصلضرب تاخیر در توان (PDP) خانواده شبه P از خانواده شبه N کمتر خواهد بود.همچنین بررسی حاشیه نویزنشان میدهد خانواده شبه P حاشیه نویز ایمن تری دارد. به لحاظ تعداد ترانزیستور و مساحت هردو طرح برابرند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
هادی صمدی
دانشگاه آزاد اسلامی، واحد قزوین، دانشکده برق و مهندسی پزشکی، قزوین، ایران
علی شاه حسینی
دانشگاه آزاد اسلامی، واحد قزوین، دانشکده برق و مهندسی پزشکی، قزوین، ایران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :