پیاده سازی گیت های منطقی توسط دو تکنولوژی CNTFET و CMOS و مقایسه تاخیر، توان مصرفی و PDP

از آنجایی که پیش بینی شده تعداد ترانزیستورهای روی یک تراشه در هر دو سال، دوبرابر خواهد شد و تولیدکنندگانتراشه از کاهش ابعاد ترانزیستورها استفاده کرده اند تا تعداد ترانزیستورها را به صورت نمایی افزایش دهند، کاهش ابعادترانزیستورها در تکنولوژی CMOS به زودی پایان خواهد یافت. بنابراین وقتی ابعاد به محدوده ضخامت یک یا دو اتمبرسند، کاهش ابعاد باید متوقف شده و تکنولوژی جدیدی مورد استفاده قرار گیرد. یک جایگزین مناسب برای مداراتتکنولوژی CMOS ، بهره گیری از فناوری نانو است. در این مقاله گیت های پایه مبتنی بر ترانزیستورهای CMOS وCNTFET در نرم افزار Hspice در تکنولوژی 320 نانومتر و با منبع تغذیه 0.9 ولت شبیه سازی و با یکدیگر مقایسهشده اند. سرعت، توان مصرفی و سایر خواص گیت های دیجیتال بر مبنای این ترانزیستورها با شبیه سازی به دست خواهدآمد. با انجام این شبیه سازی و ایجاد شرایط یکسان برای هر دو تکنولوژی نتایج نشان می دهد که با جایگزینیCNTFET ، توان مصرفی و تاخیر گیت های منطقی کاهش می یابد. بنابراین سرعت پاسخگویی گیت افزایش می یابد ومشکلات CMOS که توان مصرفی و تاخیر بالا در ابعاد کوچک بود برطرف می گردد.

کلیدواژه ها:

ترانزیستورهای مبتنی بر نانو لوله های کربنی ، ترانزیستور اثرمیدان ، گیت های منطقی