سنتز لایه های نازک سولفید مس به روش CBD بهبود یافته

یکی از چالش های مهم در زمینه سلول های خورشیدی پیدا کردن مواد نیمه هادی با شکاف باند مناسب و ضریب جذب بالا می باشد. سولفید مس نیمه رسانا ی نوع p، با باند گپ مستقیم 2.2 الکترون ولت است. و کارایی زیادی در صنعت فتوولتاییک، کاتالیستی، سل های جاذب و ... دارد. در این مطالعه نانو ذرات و لایه های نازک نانو ساختار سولفید مس بر روی زیر لایه های شیشه ای به روش رسوب گذاری محلول شیمیایی آبی و با استفاده از مواد با سمیت کمتر انجام گرفت. اثر زمان واکنش بر خواص نوری، پهنای باند گپ و هم چنین اندازه نانو ذرات لایه نشانی شده مورد بررسی قرار گرفت. نتایج پراش اشعه ایکس (XRD)، نشان داد که سولفید روی حاصل از لایه نشانی ساختارهگزاگونال داشته واندازه نانو ذرات در حدود 20.3 نانومتر میباشد. داده های حاصل از طیف سنجی UV-Vis، بیانگر افزایش میزان جذب لایه ها با افزایش زمان و هم چنین کاهش باند گپ (2.51-2.21) می شود.

کلیدواژه ها:

سولفید مس ، لایه های نازک ، باند گپ