بهینه سازی عملکرد کلیدهای بسته شونده نیمه هادی چهارلایه سیلیسیمی
محل انتشار: کنگره ملی مهندسی برق، کامپیوتر و فناوری اطلاعات
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 646
فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CECIT01_549
تاریخ نمایه سازی: 14 شهریور 1392
چکیده مقاله:
ایجادپالس های الکتریکی توان بالا با زمان صعودزیرنانوثانیه ازطریق بکارگیری فرایند یونیزاسیون برخوردی سریع درافزاره چهارلایه نیمه هادی بسته شونده امکان پذیر است فرایند یونیزاسیون برخوردی سریع درساختارهای نیمه ادی سریعترین روش غیرنوری تولید پالسهای سریع نانوثانیه ای و توان بالای محسوب میشود دراین مقاله فرایند تولید پلاسمای الکترون و حفره و مکانیزم یونیزاسیون برخوردی سریع درساختارکلید بسته شونده چهارلایه ای ازجنس نیمه هادی با بسترسیلیسیمی به کمک تحلیلهای عددی بررسی میشود درادامه عوامل تاثیر گذار مانند غلظت ناخالصی تزریق شده دربستر و ضخامت لایه بستر درسرعت کلیدزنی و پیک جریان و پلاسمای الکترون و حفره تولید شده دراین افزاره مورد بحث قرارمیگیرد و راهکاری درجهت بهینه سازی عملکرد کلید بسته شونده نیمه هادی چهارلایه ازجنس سیلیسیم ارایه میگردد.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
تارا افرا
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب تهران
مرتضی فتحی پور
دانشگاه تهران
علیرضا مجاب
دانشگاه تهران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :