سلول خورشیدی تک پیوندی مبتنی برمواد InP مدرج شده
محل انتشار: کنگره ملی مهندسی برق، کامپیوتر و فناوری اطلاعات
سال انتشار: 1392
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 615
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CECIT01_655
تاریخ نمایه سازی: 14 شهریور 1392
چکیده مقاله:
دراین مقاله ساختاریک سلول خورشیدی تک پیوندی مبتنی برمواد Ga(x)In(1-x)P/InP راتوصیف نموده ایم و اثرمدرج سازی چگالی ناخالصی لایه جذب را بربازده ولتاژ ماکزیمم جریان اتصال کوتاه و توان خروجی نشان داده ایم دراین مقاله ابتدا یک ساختاربرای سلول خورشیدی تک پیوندی ارایه گردیده است و سپس ساختارلایه ناخالصی و ضخامت لایه ها تحت تابش AM0 بهینه سازی گشته است سپس نشان داده ایم که مدرج سازی چگالی ناخالصی لایه جذب سلول خورشیدی موجب افزایش بازده تبدیل آن میگردد بعدازبهینه سازی ساختارارایه شده به بازده تبدیل بیش از19.5درصد و ولتاژ ماکزیمم 0.9V و جریان ماکزیمم 29.5mA/cm2 رسیده ایم
کلیدواژه ها:
نویسندگان
محمود نیکوفرد
دانشگاه کاشان
مجتبی پورموسی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب
ابوذر اسماعیلی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب
جواد کرمدل
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران جنوب
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :