لایه نشانی الکتروشیمیایی نانوسیم های ابرشبکه مغناطیسی در تمپلیت نانوحفره ای پلی استر

رسوبدهی الکتروشیمیایی نانوسیم های چندلایه مغناطیسی دیربازی است که موردتوجه پژوهشگران نانوفناوری قرارگرفته است اساس ساخت این نانوسیم ها پرکردن حفرات نانومتری منظم موجوددر ماده متخلخلی بنام تمپلیت می باشد که تا به امروز تمپلیت های نانوحفره ای پلی کربنات و اکسید اندی الومینیم از عمومیت زیادی در ایجاد و مشخصه یابی نانوسیم های مغناطیسی برخوردار بوده اند دراین مقاله تمپلیت جدیدی برای ساخت نانوسیم های مغناطیسی معرفی می گردد مزیت این تمپلیت در مقایسه با انواع پلیمری دیگری مانند پلی کربنات، خاصیت اب دوستی ذاتی و مقاومت بالای ان در برابر خوردگی می باشد روش تک حمام برای رسوب دهی الکتروشیمیایی نانوسیم های چند لایه متشکل از لایه های پی در پی مغناطیسی کبالت - نیکل - مس و غیرمغناطیسی مس از محلول سولفاماتی مورد استفاده قرارگرفته است. دراین روش با نوسان دادن پتانسیل کاتدی بین مقادیر -0/2 ولت برای لایه مس و 1/8- ولت برای لایه مغناطیسی کبالت - نیکل - مس نسبت به الکترود مرجع کالومل ارایه نانوسیم های چند لایه در داخل تمپلیت نانوحفره ای پلیمری از جنس پلی استر ایجاد گردیده اند.