طراحی و شبیه سازی سلول خورشیدی بر پایه اثر میدان طراحی و شبیه سازی سلول خورشیدی بر پایه اثر میدان

سال انتشار: 1397
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 437

فایل این مقاله در 6 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

CLEANENERGY06_029

تاریخ نمایه سازی: 1 دی 1398

چکیده مقاله:

اساس کار سلولهای خورشیدی، استفاده از یک میدان الکتریکی ذاتی در داخل ساختار سلول است که موجب به دام انداختن زوج الکترون- حفره ایجاد شده بواسطه تابش، میشود. این میدان الکتریکی مورد نیاز، عموما به واسطه یک پیوند p-n، p-i-n و یا شاتکی در داخل ساختار سلول و تنها در عرض ناحیه تخلیه ایجاد میشود. در این مقاله، ساختار جدیدی از سلولهای خورشیدی برای اولین بار ارائه میشود که قابلیت ایجاد میدان الکتریکی در عرض بیشتری از ماده را فراهم میکند. به بیانی دیگر، ناحیه فعال سلول، تنها به عرض ناحیه تخلیه محدود نشده و میدان الکتریکی در سرتاسر ماده نیمه هادی گسترش مییابد. در ساختار پیشنهادی که بر پایه اثر میدان الکتریکی کار میکند، ولتاژی از طریق گیت و اکسید، به سرتاسر نیمه هادی اعمال میشود و میدان الکتریکی قوی و قابل کنترلی در ماده نیمه هادی ایجاد میکند. ساختار پیشنهادی در این مقاله، توسط نرم افزار TCAD-SILVACO شبیه سازی شده و پارامترهای مختلف آن از جمله جریان اتصال کوتاه (ISC)، ولتاژ مدار باز (VOC)، ضریب انباشت (FF) و بازدهی سلول مورد بررسی قرار گرفته است. در این مقاله، همچنین اثرات میزان آلاییدگی زیر لایه سیلیکونی، ضخامت اکسید بکار رفته و نوع اکسید بر مشخصات سلول خورشیدی مورد بررسی و ارزیابی قرار گرفته است.

نویسندگان

رضا خسروی فارسانی

پژوهشگر، آزمایشگاه نانوالکترونیک، دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی، تهران

مینا امیرمزلقانی

عضو هیات علمی، آزمایشگاه نانوالکترونیک، دانشگاه تربیت دبیر شهید رجایی، تهران