بررسی اثر دما وزمان پخت برخواص نوری ساختاری والکتریکی لایه های نازک نانو بلورهای PbS

لایه های نازک نانوذرات سولفید سرب برروی زیر لایه های شیشه ای بااستفاده از روش رسوب گیر ی از حمام شیمیایی رشد داده شده اند . با کنترل پارامترهای ساخت می توان اندازه نانوذرات را کاهش داد . با کاهش اندازه نانوذرات گاف انرژی نانوذرات به علت اثر محدودیت کوانتومی به سمت انرژی های بالا انتقال داده شده است . با استفاده از طیف پراش اشعه ایکس وروشهای اسپکتروسکوپی , ساختار بلوری وخواص اپتیکی لایه های نازک اندازه گیری شده است . نشان داده شده است که هدایت الکتریکی درگستره دمایی 300 تا 450 درجه کلوین به علت جهش حامل های بار بین حالات جایگزیده در سطح فرمی .است