اثر بی نظمی روی چگالی حالتهای جایگزیده در سیمهای کوانتومی
محل انتشار: هشتمین کنفرانس ماده چگال
سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,393
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC08_037
تاریخ نمایه سازی: 3 اسفند 1385
چکیده مقاله:
در این مقاله با استفاده از تقریب پتانسیل همدوس (CPA) و روش بستگی قوی تک نواری اثر ناخالصی را روی چگالی حالتهای الکترونی جایگزیده (LDOS) در یک سیم کوانتومی مطالعه می کنیم. نتایج محاسبات عددی نشان می دهد که LDOS وابستگی قوی با غلظت ناخالصی دارد با افزایش ناخالصی تیزی قله ها و همچنین پهنای نوار کاهش می یابد. این نتایج می تواند در ساخت دستگاه های نانوالکترونیک مفید باشد.
نویسندگان
علیرضا صفارزاده
دانشگاه پیام نور، تهران
محمود بهار
مرکز تحقیقات فیزیک نظری و ریاضیات، پژوهشکده علوم نانو، تهران
انسیه محمودی
دانشگاه آزاد اسلامی واحد تهران شمال