محاسبه ساختار باند بلورهای فوتونی یک بعدی با پایه های پیچیده

سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 2,102

متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.

استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:

لینک ثابت به این مقاله:

شناسه ملی سند علمی:

CMC08_084

تاریخ نمایه سازی: 3 اسفند 1385

چکیده مقاله:

در این کار ساختار نوار بلور فوتونی یک بعدی با پایه های پیچیده با استفاده از روش ماتریس انتقال محاسبه شده است . بلورهای فوتونی یک بعدی نوعی که در اغلب مقالات مورد بررسی قرار گرفته اند از دو لایه تشکیل شده اند، که در آن ثابت دی الکتریک و عرض لایه ها متفاوت می باشند . از نقطه نظر کاربردی موقعیت و پهنای نوار ممنوعه از اهمیت زیادی برخوردار است . بناب راین در این مقاله، هدف مطالعه تغییراتی است که در اثر اضافه کردن لایه سوم به بلور فوتونی نوعی ایجاد می شود و انتظار می رود بتوان با بهره گیری از این ساختار سه لایه ای موقعیت و پهنای نوار ممنوعه را طراحی و کنترل کرد . ما ابتدا رابطه پاشندگی تحلیلی وابسته به امواج الکترومغناطیسی از نوع عرضی - مغناطیسی TM را برای بلور فوتونی که در آن سلول واحد شامل سه لایه است، بدست می آوریم و با استفاده از روشهای عددی نتایج محاسبه ساختار نواری بلور فوتونی ارائه خواهد شد

نویسندگان

زینب خصوصی ثانی

پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی ، دانشگاه تبریز

علی سلطانی والا

پژوهشکده فیزیک کاربردی و ستاره شناسی ، دانشگاه تبریز