مطالعه نقص های تشکیل شده در طی فرایند رشد در نیمرسانای AlGaNP
محل انتشار: هشتمین کنفرانس ماده چگال
سال انتشار: 1385
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,541
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC08_130
تاریخ نمایه سازی: 3 اسفند 1385
چکیده مقاله:
در این مقاله نقص های تشکیل ش ده در حین فراین د رش د در نیمرسانای جدید AlGaNP که توسط روش روآراستی پرتوـ ملکولی رشد داده شده ا ست به کمک نتـایج حاصل از اندازه گیریهای تجربی فوتولومینسانس (PL) و نیز تشدید مغناطیسی آشکار شده به روش اپتیکی(ODMR) مورد مطالعه قرار گرفته اند . وابـستگی طیفهـا بـه مقادیر آلومینیوم (Al) م وجود در نمونه ها و نیز درجه حرارت نشان می دهد که دو مرکز پارامغناطیسی مج زا که نقص های موجود در شبکه را تشکیل می دهند در نمونـه ها وجود دارند . بررسی طیفهای تقریبĤ همگن ثبت شده در ازمایشات ODMR و توافق منحنی های تئوری و عملی بدست آمده نشان می دهد که ایـن نقـصها دو گـروه اتمهای گالیم (Ga) میانینی هستند که در فرایند رشد بوجود آمده ا ند یعنی Gai−A (i) : که توسط اتمهای گروه Gai−B (ii)و IIIکه توسـط اتمهـای گـروهV و یا اتمهای گروه V و III احاطه شده اند.
نویسندگان
مرتضی ایزدی فر
دانشکده فیزیک دانشگاه صنعتی شاهرود، شاهرود
ایرینا بایانوا
دانشکده فیزیک و سنجش اندازه گیری ، دانشگاه لینکشوپینگ ، سوئد
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :