CIVILICA We Respect the Science
ناشر تخصصی کنفرانسهای ایران
عنوان
مقاله

حوزه ها و ناهمسانگردی موثر در نانو ساختارهای فرومغناطیس- نیمه رسانا

اعتبار موردنیاز : ۱ | تعداد صفحات: ۴ | تعداد نمایش خلاصه: ۷۲۶ | نظرات: ۰
سال انتشار: ۱۳۸۷
کد COI مقاله: CMC09_029
زبان مقاله: فارسی
حجم فایل: ۱۹۴.۱۶ کیلوبایت (فایل این مقاله در ۴ صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد)

راهنمای دانلود فایل کامل این مقاله

اگر در مجموعه سیویلیکا عضو نیستید، به راحتی می توانید از طریق فرم روبرو اصل این مقاله را خریداری نمایید.
با عضویت در سیویلیکا می توانید اصل مقالات را با حداقل ۳۳ درصد تخفیف (دو سوم قیمت خرید تک مقاله) دریافت نمایید. برای عضویت در سیویلیکا به صفحه ثبت نام مراجعه نمایید. در صورتی که دارای نام کاربری در مجموعه سیویلیکا هستید، ابتدا از قسمت بالای صفحه با نام کاربری خود وارد شده و سپس به این صفحه مراجعه نمایید.
لطفا قبل از اقدام به خرید اینترنتی این مقاله، ابتدا تعداد صفحات مقاله را در بالای این صفحه کنترل نمایید.
برای راهنمایی کاملتر راهنمای سایت را مطالعه کنید.

خرید و دانلود فایل مقاله

با استفاده از پرداخت اینترنتی بسیار سریع و ساده می توانید اصل این مقاله را که دارای ۴ صفحه است در اختیار داشته باشید.

قیمت این مقاله : ۳,۰۰۰ تومان

آدرس ایمیل خود را در کادر زیر وارد نمایید:

مشخصات نویسندگان مقاله حوزه ها و ناهمسانگردی موثر در نانو ساختارهای فرومغناطیس- نیمه رسانا

  عبدالعلی ذوالانواری - گروه فیزیک دانشگاه اراک
  جعفر نظام دوست - گروه فیزیک دانشگاه اراک و جهاد دانشگاهی
  حسین صادقی - گروه فیزیک دانشگاه اراک

چکیده مقاله:

در این مقاله ساختار و خواص مغناطیسی لایه های نازک آهن بر روی زیرلایه های سیلیکون مورد مطالعه قرار گرفته است. به منظور بررسی خصوصیات سطوح لایه های مورد نظر از میکروسکوپ نیروی اتمی (AFM) و برای مشخصه یابی حوزه های مغناطیسی و رفتار دیواره های حوزه ها از میکروسکوپ نیروی مغناطیسی (MFM) و مغناطیس سنجی گرادیان نیروی متناوب (AGFM) استفاده گردید. لایه های آهن با ضخامت 150-5 نانومتر لایه نشانی شدند. هدف اصلی این مقاله، مطالعه اثر ضخامت لایه ها بر ناهمسانگردی و پسماند مغناطیسی آنهاست. بطور نمونه حوزه های لایه آهن با ضخامت 100 نانومتر بر روی سیلیکون با استفاده از تصاویر MFM و منحنیهای پسماند مغناطیسی آن به وسیله AGFM گزارش شده است. همچنین از روی محاسبات مربوط به ناهمسانگردی موثر نشان داده شد که با افزایش ضخامت لایه های آهن، نوساناتی در زیر لایه های سیلیکون نوع nو p مشاهده می شود.

کلیدواژه‌ها:

کد مقاله/لینک ثابت به این مقاله

برای لینک دهی به این مقاله، می توانید از لینک زیر استفاده نمایید. این لینک همیشه ثابت است و به عنوان سند ثبت مقاله در مرجع سیویلیکا مورد استفاده قرار میگیرد:
https://www.civilica.com/Paper-CMC09-CMC09_029.html
کد COI مقاله: CMC09_029

نحوه استناد به مقاله:

در صورتی که می خواهید در اثر پژوهشی خود به این مقاله ارجاع دهید، به سادگی می توانید از عبارت زیر در بخش منابع و مراجع استفاده نمایید:
ذوالانواری, عبدالعلی؛ جعفر نظام دوست و حسین صادقی، ۱۳۸۷، حوزه ها و ناهمسانگردی موثر در نانو ساختارهای فرومغناطیس- نیمه رسانا، نهمین کنفرانس ماده چگال، اهواز، انجمن فیزیک ایران، دانشگاه شهید چمران اهواز، https://www.civilica.com/Paper-CMC09-CMC09_029.html

در داخل متن نیز هر جا که به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پارانتز، مشخصات زیر نوشته می شود.
برای بار اول: (ذوالانواری, عبدالعلی؛ جعفر نظام دوست و حسین صادقی، ۱۳۸۷)
برای بار دوم به بعد: (ذوالانواری؛ نظام دوست و صادقی، ۱۳۸۷)
برای آشنایی کامل با نحوه مرجع نویسی لطفا بخش راهنمای سیویلیکا (مرجع دهی) را ملاحظه نمایید.

علم سنجی و رتبه بندی مقاله

مشخصات مرکز تولید کننده این مقاله به صورت زیر است:
نوع مرکز: دانشگاه دولتی
تعداد مقالات: ۲۹۰۳
در بخش علم سنجی پایگاه سیویلیکا می توانید رتبه بندی علمی مراکز دانشگاهی و پژوهشی کشور را بر اساس آمار مقالات نمایه شده مشاهده نمایید.

مدیریت اطلاعات پژوهشی

اطلاعات استنادی این مقاله را به نرم افزارهای مدیریت اطلاعات علمی و استنادی ارسال نمایید و در تحقیقات خود از آن استفاده نمایید.

مقالات پیشنهادی مرتبط

شبکه تبلیغات علمی کشور

به اشتراک گذاری این صفحه

اطلاعات بیشتر درباره COI

COI مخفف عبارت CIVILICA Object Identifier به معنی شناسه سیویلیکا برای اسناد است. COI کدی است که مطابق محل انتشار، به مقالات کنفرانسها و ژورنالهای داخل کشور به هنگام نمایه سازی بر روی پایگاه استنادی سیویلیکا اختصاص می یابد.
کد COI به مفهوم کد ملی اسناد نمایه شده در سیویلیکا است و کدی یکتا و ثابت است و به همین دلیل همواره قابلیت استناد و پیگیری دارد.