محاسبه ترابرد الکتریکی گاز حفره ای دوبعدی در ساختار دور آلاییده p-Si/SiGe/Si در حالت رسانش موازی
محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,285
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC09_064
تاریخ نمایه سازی: 6 دی 1387
چکیده مقاله:
در این مقاله تحرک پذیری گاز حفره ای دوبعدی (2DHG) در ساختار دور آلاییده p-Si/SiGe/Si در شرایط رسانش موازی محاسبه گردید. در دمای معین T، دو کانال رسانش موازی حاوی گاز حفره ای در لایه آلیاژی و لایه آلاییده ساختار مذکور وجود دارد. تحرک پذیری و دانسیته سطحی آنها با استفاده از وابستگی دمایی نتایج آزمایش هال انجام شده بر این ساختار و ساختار تک لایه آلاییده Si/p-Si/Si مشابه و بر اساس فرمولبندی رسانش موازی بدست آمد.
نویسندگان
محمد علی صادق زاده
دانشکده فیزیک، دانشگاه یزد ، یزد