ساخت نانو سیم های نیمه رسانای CdSe با استفاده از غشا
محل انتشار: نهمین کنفرانس ماده چگال
سال انتشار: 1387
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,302
متن کامل این مقاله منتشر نشده است و فقط به صورت چکیده یا چکیده مبسوط در پایگاه موجود می باشد.
توضیح: معمولا کلیه مقالاتی که کمتر از ۵ صفحه باشند در پایگاه سیویلیکا اصل مقاله (فول تکست) محسوب نمی شوند و فقط کاربران عضو بدون کسر اعتبار می توانند فایل آنها را دریافت نمایند.
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CMC09_148
تاریخ نمایه سازی: 6 دی 1387
چکیده مقاله:
نانو سیم ها ی نیم رسانای CdSe به روش الکتروشیمیایی با استفاده از غشا به عنوان بستر سنتز شدند. این نانوسیم ها درون غشای پلی کربنات با متوسط قطر حفرات 80 نانومتر و در الکترولیت شامل CdSO4 و SeO2 در دمای اتاق رشد داده شدند. به کمک منحنی های کرونوآمپرمتری مراحل رشد نانوسیم ها درون غشا بدست آمد. ز نمونه ها در بستر پلی کربنات و پس از خارج کردن از بستر تصاویر SEM تهیه گردید و نسبت ابعادی نانو سیم ها را برابر 25 نشان می داد. توسط آنالیز EDAX نسبت کادمیم به سلنیوم تقریبا برابر بدست آمد. طیف عبور اپتیکی نمونه های درون غشا و درون محلول اتانول نشانگر افزایش شکاف ان رژی محاسبه شده برای نانوسیم ها نسبت به حجم توده ای CdSe بود.
نویسندگان
حسین کلهری
دانشکده فیزیک ، دانشگاه صنعتی شریف
اعظم ایرجی زاد
دانشکده فیزیک ، دانشگاه صنعتی شریف
ابوالقاسم دولتی
دانشکده مهندسی و علم مواد، دانشگاه صنعتی شریف
عباس آذریان
دانشکده فیزیک ، دانشگاه صنعتی شریف
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :