بررسی زمان تونل زنی وابسته به اسپین در دیودهای تونل زنی تشدیدی مغناطیسی

در این مقاله براساس مفهوم سرعت گروه، زمان تونل زنی وابسته به اسپین الکترونها را در یک دیود تونل زنی تشدیدی مغناطیسی بررسی کرده ایم. نتایج نشان می دهد که با افزایش ضخامت لایه مغناطیسی، زمان تونل زنی رفتار نوسانی از خود نشان می دهد. این رفتار نوسانی شدیداً وابسته به غلظت اتمهای مغناطیسی و اسپین الکترونهای فرودی بر لایه مغناطیسی است. نتایج بخوبی نشان می دهد که با تنظیم پارامترهای سیستم می توان سرعت پردازش اطلاعات و قطبش اسپین الکترونهای خروجی از سیستم را کنترل کرد.